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氣化性含疏介质对电阻带的作用过程

股票配资门户-在线配资平台-炒股配资公司-配资网站-众豪配资 www.fxbeam.com 时间:2017-08-19 08:54

氣化性含疏介质对电阻带的作用过程
(1)  电阻带在高温〇2+so2介质中,首先发生氧化反应并 使原有氧化膜增厚。致密的?;ば匝趸と绨?2(\,&203可以阻 止SO,向合金内部渗透<
(2)  二氧化硫通过氧化膜缺陷处进入内部,同铁1镍形成氧 化物和硫化物。当温度至8C0C时将发生以下硫化反应&
7 Fe + 3SO£ = 2Fe2()3 + 3FeS        (4-15)
7Ni 小 2S02 = 4Ni0+Ni3S2              (4-16)
反应生成的硫化物的熔点很低<FeS 1180C,Ni,S2806U)。根 据CrO-S和A1-0-S系平衡图,在工业条件下铬和铝不会发生类 似(心15),(4-1S)的反应c
(3)硫化物与电热合金中的镍、铁形成低熔点共晶(Ni-Ni3S645 C? Co-CoS 877 C, Fe-FeS 988 C)0
上述反应生成的低恪点硫化物和共晶,在高温下对合金造成 严重的晶畀侵浊,破坏电阻带件。

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